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近期，我国三家企业于12英寸SiC技能范畴取患了显著进展，此中山东力冠微电子设备有限公司（如下简称“山东力冠”）于装备端取患上要害进展，而浙江晶瑞电子质料有限公司（如下简称“浙江晶瑞SuperSiC”）与广州南砂晶圆半导体技能有限公司（如下简称“南砂晶圆”）则于质料端实现庞大冲破，三家企业齐发力，为我国半导体财产的自立可控成长注入强盛动力。 5月12日，晶盛电机子公司浙江晶瑞Super SiC公布，乐成实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长，首颗晶体直径达309妹妹且质量无缺。 浙江晶瑞SuperSiC基在自立研发的SiC单晶生长炉以和连续迭代进级的8-12英寸长晶工艺，颠末多年的技能攻关，立异晶体生长温场设计和气相原料漫衍工艺，乐成霸占12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等焦点难题。 这次冲破不仅实现了6-12英寸全尺寸长晶技能自立可控，更将年夜幅降低芯片成本，加快SiC财产链完美，鞭策国产SiC质料于多范畴范围化运用，助力我国半导体财产迈向全世界价值链高端。 5月8日，南砂晶圆于到场行业年夜会时，于现场展示了12英寸导电型SiC衬底等重点产物，乐成实现年夜尺寸碳化硅衬底的冲破。南砂晶圆自建立以来，一直致力在碳化硅单晶质料的研发及出产，拥有广州、中山、济南三年夜出产基地，形成为了完备的碳化硅单晶生长及衬底制备出产线，产物还有包括6英寸及8英寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底。 今朝，南砂晶圆还有乐成实现了近“零螺位错”密度及低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。这一技能前进不仅晋升了产物的靠得住性及机能，也为国产8英寸导电型衬底的财产化进程奠基了坚实基础。 近日，山东力冠于12英寸SiC长晶炉范畴取患了主要冲破。公司公然暗示，已经霸占12英寸PVT电阻加热长晶炉的研举事关，并在近期完成首批两台装备的交付。同时，该公司正加快攻关12英寸液相法SiC长晶装备。跟着12英寸电阻法长晶体系的贸易化冲破，山东力冠规划于2025年实现12英寸装备的批量供货，助力国产碳化硅质料进入全世界供给链第一梯队。 山东力冠自立研发的8英寸PVT碳化硅长晶炉已经实现批量发卖，涵盖感到和电阻加热，合用在导电型与半绝缘型SiC晶体生长。该装备立异热场设计，显著晋升温度匀称性与不变性（>30%），提高晶体良率与一致性，达国际主流程度。主动化节制体系降低人工干涉干与及出产成本，已经获海内外头部客户采用。 公然资料显示，山东力冠的产物涵盖第一代至第四代半导体质料工艺装备，均拥有自立常识产权，彻底自立可控，广泛运用在集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通讯、MEMS等新型电子器件制造范畴。
